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hth平台注册:台积电、三星激战2nm|硅基世界

2022-10-08 03:12:04 来源:华体会外围app网站 作者:华体会LOL平台app 浏览量:4

  ,晶圆代工龙头台积电(TSMC)首次披露,到2024年,台积电将拥有阿斯麦(ASML)最先进的高数值孔径极紫外(high-NA EUV)光刻机,用于生产纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)芯片,预计在2025年量产。

  与此同时,6月初被美国总统拜登亚洲行接见后,紧接着,韩国三星电子副会长李在镕又马不停蹄奔赴欧洲,有报道指三星电子在阿斯麦获得了十多台EUV光刻机,并于本周起大规模生产3nm芯片,而2nm将于2025年量产。

  尽管量产2nm芯片依然还需时日,但此时此刻,台积电、三星电子两家芯片大厂不约而同的寻求下一代EUV光刻机,意味着现在“2nm技术战”已经打响。

  “到了未来的技术节点,间距微缩将减缓,硅晶体管似乎只能安全地微缩至2nm,而在那之后,我们可能就会开始使用石墨烯。”芯片制造的核心软件EDA巨头新思科技(Synopsys)研究专家Victor Moroz的这句线nm是硅芯片的最后一战。

  当前,全球具备5nm及以下制程芯片制造实力的晶圆制造企业,只有台积电和三星电子两家。而他们却正在展开一场投资超600亿美元、以纳米乃至原子厚度为目标的先进制程竞赛。

  其中,材料方面,二维材料是目前半导体行业所关注的重点。台积电此前曾提到,台积电正在研究包括二硫化钨(WuS2)和碳纳米管等二维材料。相比于当前的硅材料,二维材料能够更有效地移动电子,并让芯片实现更节能的计算,更适用于2nm及之后的先进制程。

  封装互联方面,台积电推出新的系统整合晶片堆叠(TSMC-SoIC)互连技术,解决3D封装堆叠问题,到2035年前,台积电有望实现1μm以内的SoIC互连,从而提高芯片整体供电性能,降低整体电阻,避免受到功率密度提升和电源电压下降的影响。

  有趣的是,台积电、三星电子两家晶圆代工厂激战之际,IBM、英特尔等芯片巨头,也都积极瞄准2nm这一重要工艺节点。

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