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hth平台注册:成都高新西区-高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目可行性

2022-10-08 03:53:15 来源:华体会外围app网站 作者:华体会LOL平台app 浏览量:5

  原标题:成都高新西区-高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目可行性研究报告

  高新发展募集资金 51,100.00万元投资成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目,进一步向功率半导体的核心工艺平台及特色封装线延伸、提高公司核心竞争力。

  半导体行业的发展程度是国家科技实力的重要体现,是信息化社会的支柱产业之一,更对国家安全有着举足轻重的战略意义。近年来,国家各部门持续出台了一系列优惠政策来鼓励和支持半导体行业发展。受益于下游应用市场的拓展,新能源发电、新能源汽车等新应用领域的高速增长,叠加国产替代率的逐步上升,功率半导体行业空间快速增长。

  公司子公司成都森未科技有限公司(以下简称“森未科技”)专注于 IGBT等功率半导体器件的设计、开发和销售。森未科技目前生产主要为 Fabless模式(无晶圆厂设计公司模式),晶圆制造及封装采用委外加工模式。针对不同应用需求,IGBT通常需要进行差异化的设计,并结合晶圆制造和封装制造的特点进行调整。由于代工厂的生产和工艺平台相对固化,设计企业的产品开发进程会因此受到制约。

  尤其在 2021年全球“缺芯”的大背景下,代工厂资源进一步紧张,针对新能源等新兴市场的产品开发和供应进程明显滞后于市场的需求。为实现长足发展,公司拟投资建设核心工艺平台及特色封装线,同时晶圆正面加工及部分通用封装采用委外加工。届时,森未科技在芯片研制、封装及测试环节采用自主特色加工和委外标准加工相结合的方式,即 Fab-Lite模式。该模式能够兼顾生产效率与产品质量,提高产品迭代速度,以相对较低的投资规模提升生产效率及产品竞争力。因此,公司控股子公司成都高投芯未半导体有限公司(以下简称“芯未半导体”)作为公司打造 Fab-lite模式的重要载体,拟投资建设成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目。

  本项目由芯未半导体实施。项目建设地址在成都高新技术产业开发区西部园区德富大道以东、安泰六路以西、康强三路以南、康强二路以北地块内。芯未半导体已就项目用地取得《不动产权证书》(证书编号:川(2022)成都市不动产权第 0210574号),证书显示,权利人为成都高投芯未半导体有限公司,坐落高新区西园街道展望村 1、2组,面积为 20,000.07平方米,权利性质为出让,用途为工业用地(标准地)。

  成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目一期计划建设周期为 2年,投资额为 56,568.00万元,拟使用募集资金金额为 51,100.00万元(含)。

  经测算,成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目一期内部收益率(税后)为 10.13%,投资回收期(税后)为 8.43年。

  本项目已取得成都高新区发展改革和规划管理局出具的《四川省固定资产投资项目备案表》(备案号:川投资备【-04-01-642804】FGQB-0249号),已取得成都高新区生态环境和城市管理局出具的《关于成都高投芯未半导体有限公司成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目环境影响报告表的批复》(成高环诺审[2022]51号)。

  公司建筑施工业务相对传统,利润率难以有大的突破,在行业中不易形成突出的核心竞争力,呈现收入规模较大、利润贡献较低的局面;智慧城市业务是公司近两年集中力量打造的新主业,但目前处于产业链中下游的场景建设运营,规模较小,暂时未形成产品核心能力,市场影响力以及对公司的盈利贡献有限。

  为打造有突出盈利能力和发展前景的新主业,公司收购在 IGBT领域具备较强技术实力的森未科技,将功率半导体作为公司战略转型的突破口。为加快业务转型,抓住市场机遇,公司拟实施本次发行,募集资金投入功率半导体产线建设,以推动公司功率半导体业务快速、高质量发展,进而促进公司发展为具有高技术门槛、高盈利水平、高资产质量特征的企业,提升公司股东价值。

  功率半导体广泛应用于电子器件中,是电能转换与电路控制的核心。近年来,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。得益于下游应用市场的蓬勃发展,功率半导体具备广阔的市场空间。根据 Omdia的统计,2021年全球功率半导体市场规模约为 462亿美元,作为全球最大的功率半导体消费国,2021年中国功率半导体市场规模达到 182亿美元。作为功率半导体的代表性产品,IGBT近年来市场规模持续保持高速增长态势。根据中国产业信息网数据,我国 IGBT市场规模 2014年为 79.8亿元,2021年为 224.6亿元,复合年均增长率达 15.93%。

  IGBT全球市场供给格局较为集中,前十大供应商市场份额达到 82.6%。国内供应商中,当前只有士兰微、斯达半导和华微电子在个别细分品类中挤入前十。

  国内市场也基本被德系企业英飞凌、日系企业三菱、富士等国外企业垄断。同时,国内 IGBT市场目前仍存在很大的需求缺口,2021年国产 IGBT2,580万只,需求量达到 13,200万只,IGBT国产替代空间巨大。受益于国家政策的大力支持,IGBT国产替代步伐正不断加快。

  IGBT等功率半导体市场规模的快速增长和国产替代步伐的不断加快为公司提供了良好的发展机遇。因此,成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目具有广阔的市场前景。本项目的实施有利于公司把握行业发展的关键机遇,加速推动公司功率半导体业务发展战略的实施。

  功率半导体行业内存在 IDM与垂直分工两种主要的经营模式,近年来,又出现了由 IDM模式演变而来的 Fab-Lite模式。IDM模式(Integrated Device Manufacture)是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式。垂直分工即 Fabless经营模式是多年来半导体产业分工不断细化产生的另外一种商业模式,在半导体产业链的上下游分别形成了无晶圆厂设计公司、晶圆代工厂及封装测试三大类企业。

  Fab-Lite模式,是介于 Fabless模式与IDM模式之间的经营模式,即在芯片研制、封装及测试环节采用自主特色加工和委外标准加工相结合的方式,能够为需要半导体制造但面临产能限制的企业提供低成本解决方案。IDM模式研发效率高,但转线灵活度差,对企业技术、资金和市场份额要求较高。垂直分工模式灵活但研发效率低,且对设计公司的产能制约明显。Fab-Lite模式能够结合二者优势,兼顾生产效率与产品质量。

  与工艺成熟、供应资源丰富的正面加工不同,晶圆背面加工需具备丰富的经验积累,使之成为 IGBT产业链上极为关键的一环。公司拟通过建设核心工艺平台及特色封装线,在芯片研制、封装及测试的关键环节产能自足,同时晶圆正面加工及部分通用封装采用委外加工,这种自行建厂和委外加工相结合的 Fab-Lite模式顺应行业发展趋势,能够以相对较低的投资规模提升生产效率及产品竞争力。

  同时,公司通过投资建设成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目可以提升功率半导体业务规模及抗风险能力,提高客户认可度,增强市场竞争力。

  综上,功率半导体市场规模快速增长,国产替代步伐不断加快,构建 Fab-Lite模式顺应行业发展趋势,公司通过投资建设成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目,能够参与并分享相关产业发展的红利,促进公司高质量发展。

  半导体行业的发展程度是国家科技实力的重要体现,是信息化社会的支柱产业之一,更对国家安全有着举足轻重的战略意义。近年来,国家各部门持续出台了一系列优惠政策来鼓励和支持半导体行业发展。2021年 1月,工信部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》,明确提出,将实施重点产品高端提升行动,重点发展耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块等电路类元器件;实施重点市场应用推广行动,推动功率器件等高可靠电子元器件在高端装备制造市场的应用,加速元器件产品迭代升级。2021年 3月《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》提出,十四五规划立足国内大循环,打好关键核心技术攻坚战,提高创新链整体效能,聚焦核心芯片、半导体设备、第三代半导体等方面,推动制造业优化升级。

  此外,《中华人民共和国国家安全法》明确指出“国家加强自主创新能力建设,加快发展自主可控的战略高新技术和重要领域核心关键技术,加强知识产权的运用、保护和科技保密能力建设,保障重大技术和工程的安全”。IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的功率半导体器件产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,既属于战略高新技术又属于核心关键技术,得到“进口替代”政策支持。国家政策的大力支持给功率半导体行业的发展提供了良好的政策保障。

  功率半导体下游应用十分广泛,几乎应用于所有的电子制造行业,传统应用领域包括消费电子、网络通信、电子设备等产业。随着社会经济的快速发展及技术工艺的不断进步,以及新能源汽车及充电桩、智能装备制造、物联网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域逐渐成为功率半导体的重要应用市场。受益于下游应用市场的拓展,新能源发电、新能源汽车等新应用领域的高速增长,叠加国产替代率的逐步上升,功率半导体行业空间快速增长。作为功率半导体的代表性产品,据测算,IGBT在中国的市场空间有望在 2025年达到 591亿元,其中,新能源汽车、风光储、工控、家电、轨交电网五大场景市场空间有望分别达到 231亿元、183亿元、85亿元、69亿元和 11亿元。下游产业的快速发展将为功率半导体产业带来巨大的发展动力。

  公司功率半导体业务核心技术团队深耕IGBT芯片技术研发与产业化近十年,具备丰富的一线工艺实操经验,对 IGBT产业各个环节——从芯片设计能力到应用场景,都有深刻的理解。核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成,在功率半导体专业领域的经验累积均超过 15年。通过不断的外部招聘和内部培养,公司已初步形成一支在功率半导体行业内就管理、研发、生产、销售等各环节拥有专业水平和实践能力的高素质员工团队,能够为募投项目的顺利实施提供保障。

  功率半导体器件局域工艺线注重超薄晶圆和高能注入等特色工艺研发攻关,是 IGBT产品核心竞争力的重要工艺支撑。公司子公司森未科技经过多年的技术累计,已充分掌握上述超薄晶圆和高能注入等特色工艺所需的核心技术。

  在功率半导体广阔的市场空间及明确的国产替代趋势下,公司与主要客户建立起稳定的合作关系,目前整体销售状态较好,订单持续增加,也在同步拓展新的销售渠道和重点客户,具备充足的市场保障。

  此外,核心技术团队在功率半导体专业领域深耕多年,与关键设备厂商建立了良好的合作关系,为下一步采购关键设备建立了畅通的渠道。

  综上,成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目符合国家产业政策支持方向,下游市场空间巨大,公司具备实施本项目相关的人才、技术、市场等储备,本项目具有可行性。

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